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    • 专利摘要:
    本發明揭示一種遮蔽裝置及一種無線功率傳輸裝置。該遮蔽裝置係被包含於用以將功率無線傳輸至一無線功率接收裝置之無線功率傳輸裝置之內，且係包括：一第一遮蔽單元，改變該無線功率傳輸裝置之一傳輸線圈所產生之一磁場之一部分之一傳輸路徑；以及一第二遮蔽單元，遮蔽通過該第一遮蔽單元之磁場部分。該第二遮蔽單元係被置於該第一遮蔽單元之上。該第一遮蔽單元之磁導率之一實數之值係大於該第一遮蔽單元之磁導率之一虛數之值；而該第二遮蔽單元之磁導率之一虛數之值係大於該第二遮蔽單元之磁導率之一實數之值。
    公开号:TW201322583A
    申请号:TW101137779
    申请日:2012-10-12
    公开日:2013-06-01
    发明作者:Jeong-Wook An
    申请人:Lg Innotek Co Ltd；
    IPC主号:H01F38-00
    专利说明:
    遮蔽裝置及無線功率傳輸裝置
    本發明係主張關於2011年10月24日申請之韓國專利案號No.10-2011-0108960之優先權。藉以引用的方式併入本文用作參考。
    本發明係關於一種遮蔽裝置及一種無線功率傳輸裝置。本發明係關於一種無線功率傳輸技術，其係可改善功率傳輸效率，並使洩漏至外界之一磁場量降到最低。
    一「無線功率傳輸」(wireless power transmission)或者一「無線能量傳輸」(wireless energy transfer)係指一種將電能無線傳輸至所需裝置之技術。在1800年代間，廣泛使用應用電磁感應(electromagnetic induction)原理之一電動馬達(electric motor)或一變壓器(transformer)，且亦出現一種藉由照射電磁波(electromagnetic waves)(如無線電波或雷射)來傳輸電能之方法。事實上，日常生活中被頻繁使用之電動牙刷或電動刮鬍刀，便是運用電磁感應之原理來充電的。迄今，使用電磁感應原理之長距離傳輸、共振(resonance)、及短波長射頻(radio frequency)係被使用作為無線能量傳輸方法。
    近來，在眾多無線功率傳輸方法之中，一種使用共振之能量傳輸方法係被廣泛應用。
    因基於共振來進行之一無線功率傳輸方法係透過一線圈來無線傳輸形成於傳輸器及接收器側之電子訊號，故一使用者得以輕易地對一電子裝置(例如一可攜帶式行動裝置)進行充電。
    然而，根據應用共振之能量傳輸方法，可能會因為傳輸器產生之一電磁波，而導致另一裝置錯誤地運作。此電磁波(暴露於人體)亦可能會對人體健康造成傷害性的影響。
    本發明係提供：一種遮蔽裝置，可改善一無線功率傳輸裝置與一無線功率接收裝置之間的功率傳輸效率；以及該無線功率傳輸裝置。
    本發明係提供：一種遮蔽裝置，可防止另一裝置錯誤地運作，並使洩漏至外界之一磁場量降到最低，以避免洩漏之磁場對人體健康造成傷害；以及一種無線功率傳輸裝置。
    根據本發明實施例，提供一種遮蔽裝置，其係被包含於用以將功率無線傳輸至一無線功率接收裝置(wireless power reception apparatus)之一種無線功率傳輸裝置(wireless power transmission apparatus)之內，且係包括：一第一遮蔽單元(shielding unit)，改變該無線功率傳輸裝置之一傳輸線圈(transmission coil)所產生之一磁場之一部分之一傳輸路徑(transmission path)；以及一第二遮蔽單元，遮蔽通過該第一遮蔽單元之磁場部分。該第二遮蔽單元係被置於該第一遮蔽單元之上。該第一遮蔽單元之磁導率(permeability)之一實數值(real component value)係大於該第一遮蔽單元之磁導率之一虛數值(imaginary component value)；而該第二遮蔽單元之磁導率之一虛數值係大於該第二遮蔽單元之磁導率之一實數值。
    根據本發明實施例，提供一種無線功率傳輸裝置，用以將功率無線傳輸至一無線功率接收裝置。該無線功率傳輸裝置係包括：一傳輸單元，接收來自一電源功率，並通過一非輻射方法(non-radiation method)，將一傳輸線圈產生之一磁場傳至該無線功率接收裝置之一接收線圈；以及一遮蔽裝置，其係包含有：一第一遮蔽單元，用以改變該傳輸線圈所產生之一磁場之一部分之一傳輸路徑、以及一第二遮蔽單元，置於該第一遮蔽單元之上，用以遮蔽通過該第一遮蔽單元之磁場部分。該第一遮蔽單元之磁導率之一實數值係大於該第一遮蔽單元之磁導率之一虛數值；而該第二遮蔽單元之磁導率之一虛數值係大於該第二遮蔽單元之磁導率之一實數值。
    根據本發明實施例，提供一種遮蔽裝置，其係被包含於一種傳輸裝置中，其係使用一磁場而與一接收裝置相通訊。該遮蔽裝置係包含有：一第一遮蔽單元，用以改變該傳輸裝置所產生之一磁場之一部分之一傳輸路徑；以及一第二遮蔽單元，置於該第一遮蔽單元之上，用以遮蔽通過該第一遮蔽單元之磁場部分。該第一遮蔽單元之磁導率之一實數值係大於該第一遮蔽單元之磁導率之一虛數值；而該第二遮蔽單元之磁導率之一虛數值係大於該第二遮蔽單元之磁導率之一實數值。
    如上所述，本發明實施例係具有下列效果。
    首先，可以減少在無線功率傳輸裝置中洩漏至外界之一電磁場之輻射量(radiation quantity)，進而避免另一裝置錯誤地運作，並使對人體健康所造成的傷害降到最低。
    另外，藉由以一遮蔽裝置來改變一磁場之傳輸路徑，可以使電能效率(power efficiency)達到最大值。
    10‧‧‧電源
    20‧‧‧功率傳輸單元
    21‧‧‧傳輸感應線圈
    22‧‧‧傳輸共振線圈
    30‧‧‧功率接收單元
    31‧‧‧接收共振線圈
    32‧‧‧接收感應線圈
    40‧‧‧整流電路
    50‧‧‧負載
    60‧‧‧遮蔽裝置
    61‧‧‧第一遮蔽單元
    62‧‧‧第二遮蔽單元
    100‧‧‧無線功率傳輸裝置
    200‧‧‧無線功率接收裝置
    L1、L2、L3、L4‧‧‧電感
    C1、C2、C3、C4、C5‧‧‧電容
    D1‧‧‧二極體
    圖1係繪示有根據本發明一實施例之一種無線功率傳輸裝置。
    圖2係繪示有根據本發明一實施例之一傳輸感應線圈之一等效電路圖。
    圖3係繪示有根據本發明一實施例之一電源及一功率傳輸單元之一等效電路圖。
    圖4係繪示有根據本發明一實施例之一接收共振線圈、一接收感應線圈、一整流電路、及一負載之一等效電路圖。
    圖5係繪示有根據本發明一實施例之一遮蔽裝置之一方塊圖。
    圖6係繪示有使用根據本發明一實施例之一無線功率傳輸裝置之一無線功率傳輸系統之結構圖。
    圖7係繪示有根據無線功率傳輸所使用頻率之一遮蔽元件之磁導率之實數及虛數變化圖。
    在本說明書及申請專利範圍中所使用之字詞語句可依發明人所瞭解來定義以於最佳模式來描述和揭露本發明，故不應被限制在字典中字義或一般性理解，而應被解釋、理解為與本發明之主旨、精神、技術範圍相關聯者。
    因此，圖式中所繪示者僅用以說明本發明實施例及結構配置，並不代表本發明實施例之全部技術範圍；因此，應理解的是在提交本專利說明書之申請時，可能存在各種變化及修改。
    圖1係繪示有根據本發明實施例之一種無線功率傳輸裝置。
    一電源10所產生之功率係被提供給一功率傳輸單元20，使功率傳輸單元20得以使用共振，將功率傳輸至一功率接收單元30，其中功率接收單元30係與功率傳輸單元20共振，並與功率傳輸單元20具有相同之共振頻率值(resonant frequency value)。被傳輸至功率接收單元30之功率係透過一整流電路40(rectifier circuit)而被傳至一負載50(load)。負載50可為一電池或一需要功率之預設裝置。
    詳細來說，電源10係為一AC電源，用以供給一預設頻率之交流電(AC power)。
    功率傳輸單元20係包括：一傳輸感應線圈21(transmission induction coil)；以及一傳輸共振線圈22(transmission resonant coil)。傳輸感應線圈21係連接於電源10，故交流電流會流過傳輸感應線圈21。當交流電流流過傳輸感應線圈21時，因為電磁感應的緣故，交流電流會被感應至與傳輸感應線圈21實際上相隔開的傳輸共振線圈22。藉由使用共振，將被傳至傳輸共振線圈22之功率傳輸至與功率傳輸單元20形成一共振電路(resonance circuit)之功率接收單元30。
    因共振的關係，功率可在兩感容電路(LC circuits)之間傳輸；此處，該兩感容電路係為彼此互相阻抗匹配(impedance-matched)。應用共振之功率傳輸方法係可將功率傳輸至比應用電磁感應之功率傳輸方法更遠，且具有更高的功率傳輸效率。
    功率接收單元30係包括：一接收共振線圈31(reception resonant coil)；以及一接收感應線圈32(reception induction coil)。傳輸共振線圈22所傳輸之功率係被接收共振線圈31接收，故交流電流會流通接收共振線圈31。被傳至接收共振線圈31之功率係由電磁感應而被傳至接收感應線圈32。被傳至接收感應線圈32之功率係經整流電路40整流，然後被傳至負載50。
    圖2係繪示有根據本發明實施例之傳輸感應線圈21之一等效電路(equivalent circuit)圖。如圖2所示，傳輸感應線圈21可包括一電感器L1以及一電容器C1，且形成具有一合適的電感值(inductance value)以及一合適的電容值(capacitance value)之一電路。電容器C1可為一可變電容器(variable capacitor)。可藉由調整一可變電容器，來進行阻抗匹配。同時，傳輸共振線圈22、接收共振線圈31、及接收感應線圈32之等效電路可為相等於圖2中所示者。
    圖3係繪示有根據本發明實施例之電源10及功率傳輸單元20之一等效電路圖。如圖3所示，傳輸感應線圈21及傳輸共振線圈22各自可包括一電感器L1或L2以及一電容器C1或C2，且其係分別具有一預設的電感值以及一預設的電容值。
    圖4係繪示有根據本發明實施例之接收共振線圈31、接收感應線圈32、整流電路40、及負載50之一等效電路圖。
    如圖4所示，接收共振線圈31及接收感應線圈32各自可包括一電感器L3或L4以及一電容器C3或C4，且其係分別具有一預設的電感值以及一預設的電容值。整流電路40可包括一二極體D1(diode)以及一平滑電容器C5(smoothing capacitor)，以將交流電轉換為直流電(DC power)輸出。儘管此處負載50係為1.3 V直流電源，但負載50亦可為一電池或其他需要直流功率之裝置。
    圖5係繪示有根據本發明實施例之一遮蔽裝置60之一方塊圖。
    參閱圖5，遮蔽裝置60係包括第一及第二遮蔽單元61、62。
    根據本發明一實施例之遮蔽裝置60係適用於使用電磁感應或者共振之無線功率傳輸方法。
    遮蔽裝置60可改變自無線功率傳輸裝置100傳輸至無線功率接收裝置200之一磁場之一部分之傳輸路徑，或者可遮蔽洩漏至外界之磁場之一部分。
    第一遮蔽單元61可改變自無線功率傳輸裝置100之傳輸共振線圈22所產生之磁場之一部分之傳輸路徑。
    第一遮蔽單元61係將磁場部分之傳輸路徑自傳輸共振線圈22改變至無線功率接收裝置200，以使大部分的磁場可被傳輸至無線功率接收裝置200。也就是說，第一遮蔽單元61可提升無線功率傳輸裝置100及無線功率接收裝置200之間的功率傳輸效率。
    第二遮蔽單元62可遮蔽傳輸共振線圈22所產生、並通過第一遮蔽單元61之磁場，使其不洩漏至外界。也就是說，第二遮蔽單元62係吸收通過第一遮蔽單元61之磁場之一部分，並將磁場轉換為熱能，藉此以避免磁場洩漏至外界。磁場洩漏至外界的量能夠減少，則便不會向人體暴露對健康有害之磁場。
    第一及第二遮蔽單元61、62係包括不同種類的磁性物質。
    第一及第二遮蔽單元61、62可包括尖晶石(spinel)、六角(hexa)、鋁矽鐵(sendust)、及坡莫合金(permalloy)等磁性物質。例如，第一遮蔽單元61可包括尖晶石磁性物質，而第二遮蔽單元62可包括六角磁性物質。然而，第一遮蔽單元61並不限制於尖晶石磁性物質，而亦可包括六角磁性物質或者石榴石(garnet)磁性物質。在此情況下，第二遮蔽單元62可包括尖晶石磁性物質。
    表1係顯示了尖晶石、石榴石、及六角磁性物質之組成式(composition formula)。
    在表1中，Me＊係代表選自由：鈷(cobalt，Co)、鎳(nickel，Ni)、鋅(zinc，Zn)、銅(copper、C)、及錳(manganese，Mn)所組成之群組其中至少一者；而R＊係代表釔(yttrium，Y)元素。
    該鋁矽鐵磁性物質係包括：鐵(iron，Fe)、矽(silicon，Si)、及鋁(aluminum，Al)之組合，且其元素之組成比率分別為：84%、10%、及6%。
    該坡莫合金磁性物質係包括：鐵(iron，Fe)及鎳(nickel，Ni)之組合，且其元素之組成比率分別為：90%及10%。
    第一及第二遮蔽單元61、62可具有不同的磁導率(permeability value)。
    此處，「磁導率」係指一材料所表現出之磁性的量(quantity)，亦即在一真空狀態下磁場之強度(intensity)與材料在磁場之影響下被磁化時的磁通密度(magnetic flux density)之比(ratio)。第一遮蔽單元61之磁導率μ1可以具有一實數及一虛數之一複數(complex number)來表示，如式1所示。
    式1 μ1=μ11+j μ12
    其中，第一遮蔽單元61之磁導率μ1之實數μ11可代表將進入第一遮蔽單元61之磁場方向改變(導引)之程度。也就是說，當實數μ11之值變大時，進入第一遮蔽單元61之磁場之改變也隨之變大。而當實數μ11之值變小時，進入第一遮蔽單元61之磁場之改變也隨之變小。
    第一遮蔽單元61之磁導率μ1之虛數μ12係代表了將進入第一遮蔽單元61之磁場吸收、並將磁場轉換為熱能之程度。也就是說，當虛數μ12之值變大時，進入第一遮蔽單元61之磁場中，被轉換為可排出至外界之熱能者較多。而當虛數μ12之值變小時，進入第一遮蔽單元61之磁場中，被轉換為可排出至外界之熱能者較少。
    根據本發明一實施例，第一遮蔽單元61之磁導率μ1之實數μ11可大於第一遮蔽單元61之磁導率μ1之虛數μ12。也就是說，第一遮蔽單元61主要進行的是改變磁場方向之一功能，而非將排至外界之磁場量降到最小之一功能。據此，磁導率μ1之實數μ11可大於虛數μ12。
    較佳地，第一遮蔽單元61之磁導率μ1之實數μ11比第一遮蔽單元61之磁導率μ1之虛數μ12之比率可落在10：1至1000：1之範圍內。當此第一遮蔽單元61之磁導率μ1之實數μ11比第一遮蔽單元61之磁導率μ1之虛數μ12之較佳比率為至少10：1時，第一遮蔽單元61更可進行改變磁場之傳輸路徑之一功能，而非吸收磁場並將磁場轉換成熱以排至外界之一功能。也就是說，若第一遮蔽單元61之磁導率μ1之實數μ11比第一遮蔽單元61之磁導率μ1之虛數μ12之比率為小於10：1時，第一遮蔽單元61便無法平順地將進入第一遮蔽單元61之磁場之傳輸路徑改向無線功率接收裝置。
    此外，磁導率μ1之實數μ11比磁導率μ1之虛數μ12較佳地係為1000：1或以下；所以，若磁導率μ1之實數μ11比磁導率μ1之虛數μ12較佳地係為1000：1或以上時，因為第一遮蔽單元61中所包含之磁性物質之磁導率會隨頻率而變動的緣故，第一遮蔽單元61便無法以無線功率傳輸所使用之頻帶(frequency band)進行內部功能。
    根據本發明一實施例，因遮蔽材料中所包含之材料特性的關係，磁導率μ1之實數μ11與磁導率μ1之虛數μ12之值可為約30至約5000。相同的，因遮蔽材料中所包含之材料特性的關係，第二遮蔽單元62之磁導率μ2之實數μ21與磁導率μ2之虛數μ22可為約30至約5000。
    另，第二遮蔽單元62之磁導率μ2可以具有實數及虛數之複數來表示，如式2所示。
    式2 μ2=μ21+j μ22.
    其中，第二遮蔽單元62之磁導率μ2之實數μ21可代表將進入第二遮蔽單元62之磁場方向改變(導引)之程度。也就是說，當實數μ21之值變大時，進入第二遮蔽單元62之磁場之改變也隨之變大。而當實數μ21之值變小時，進入第二遮蔽單元62之磁場之改變也隨之變小。
    第二遮蔽單元62之磁導率μ2之虛數μ22係代表了將進入第二遮蔽單元62之磁場吸收、並將磁場轉換為熱能之程度。也就是說，當虛數μ22之值變大時，進入第二遮蔽單元62之磁場中，被轉換為可排出至外界之熱能者較多。而當虛數μ22之值變小時，進入第二遮蔽單元62之磁場中，被轉換為可排出至外界之熱能者較少。
    第二遮蔽單元62之磁導率μ2之虛數μ22可大於實數μ21。較佳地，磁導率μ2之虛數μ22比磁導率μ2之實數μ21之比率可落在1：1至10：1之範圍內。因為第二遮蔽單元62主要進行的是將排至外界之磁場量降到最小之一功能，而非改變磁場方向之一功能，故磁導率μ2之虛數μ22會大於磁導率μ2之實數μ21。若第二遮蔽單元62之磁導率μ2之虛數μ22比第二遮蔽單元62之磁導率μ2之實數μ21之比率為大於10：1時，因為第二遮蔽單元62中所包含之磁性物質之磁導率會隨頻率而變動的緣故，第二遮蔽單元62便無法以無線功率傳輸所使用之頻帶(frequency band)進行內部功能。
    可使用一機械方法(mechanical method)如一壓縮方法(compression method)或一黏著方法(adhesion method)來將第一遮蔽單元61與第二遮蔽單元62相接合。
    根據壓縮方法，係藉由使用一壓縮器，在室溫下，將第一及第二遮蔽單元61、62準備為一預設型態之薄片，以將第一及第二遮蔽單元61、62彼此接合在一起。而根據黏著方法，係藉由使用第一及第二遮蔽單元61、62之界面(interfacial surfaces)之間的黏著力，來將第一及第二遮蔽單元61、62彼此黏著在一起。
    可透過一薄膜沉積方法(thin film deposition method)，將第一及第二遮蔽單元61、62彼此接合在一起。
    此薄膜沉積方法係為在真空狀態下將金屬或化合物加熱、蒸發，以使蒸汽塗覆於具有薄膜型態之一物質之表面上。此薄膜沉積方法係被分類為物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD)方法或者化學氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)方法。
    因物理氣相沉積、或者化學氣相沉積方法係廣為熟習此項技藝者所熟知，故此處省略其細節不談。
    儘管如上所述，遮蔽裝置60可被使用於無線功率傳輸之用，但遮蔽裝置60亦可被應用於一通訊方法(communication method)如一射頻識別(radio-frequency identification，RFID)方法、一近場通訊(near field communication，NFC)方法、或者一無鍵輸入方法(keyless entry method)。
    圖6係繪示有使用根據本發明一實施例之無線功率傳輸裝置之無線功率傳輸系統之結構圖。
    該無線功率傳輸系統可包括：無線功率傳輸裝置100；以及無線功率接收裝置200。
    無線功率傳輸裝置100可包括：功率傳輸單元20；及遮蔽裝置60。
    功率傳輸單元20可包括：傳輸感應線圈21；傳輸共振線圈22；以及一電容器。有關於此，已於前文中配合圖1詳細說明之。
    功率傳輸單元20係接收來自於電源10之功率，以將傳輸共振線圈22所產生之磁場透過一非輻射方法傳至無線功率接收裝置200之接收共振線圈31。
    遮蔽裝置60係包括第一及第二遮蔽單元61、62。第一遮蔽單元61可將自無線功率傳輸裝置100傳輸之磁場之一部分之傳輸路徑改變至無線功率接收裝置200，而第二遮蔽單元62可遮蔽通過第一遮蔽單元61、洩漏至外界之磁場。
    參閱圖6中之磁通線(magnetic flux line)，傳輸共振線圈22所產生之磁場之一部分不會完全通過第一遮蔽單元61，而會被第一遮蔽單元61導引至無線功率接收裝置200。為達此目的，第一遮蔽單元61可包括銀，其係表現出磁導率μ1(其實數值μ11係大於虛數值μ12)。根據本發明實施例，實數μ11比虛數μ12之比值可為至少100：1。
    參閱圖6中之磁通線，通過第一遮蔽單元61之磁場之一部分係被第二遮蔽單元62所吸收。
    也就是說，第二遮蔽單元62可遮蔽傳輸共振線圈22所產生、並通過第一遮蔽單元61之磁場。更詳細而言，第二遮蔽單元62係吸收通過第一遮蔽單元61之磁場之一部分，並將磁場轉換為熱能，藉此以避免磁場洩漏至外界。為達此目的，第二遮蔽單元62可包括一材料，其係表現出磁導率μ2(其虛數值μ22係大於實數值μ21)。
    綜上所述，藉由改變傳輸共振線圈22所產生之磁場之方向，第一遮蔽單元61可將一較大量的功率傳輸至無線功率接收裝置200。
    此外，第二遮蔽單元62係吸收通過第一遮蔽單元61之磁場之一部分，並將吸收的磁場以熱能之形式排出，藉此以將外洩之磁場的量降到最低。若外洩之磁場之量能夠降到最低，則可避免另一裝置錯誤地運作，並使防止有害的磁場暴露於人體。
    亦即，根據本發明實施例，具有一多層結構之遮蔽裝置60係提升將功率傳輸至無線功率接收裝置200之效率，同時亦使外洩之磁場的量降到最低。
    根據本發明實施例之遮蔽裝置60係被裝設於與一接收裝置相通訊之一傳輸裝置中(除無線功率傳輸技術外，另使用一磁場)，藉此以提升功率傳輸效率，同時並使外洩之磁場的量降到最低。
    圖7係繪示有根據無線功率傳輸所使用頻率之一遮蔽材料之磁導率之實數及虛數變化圖。
    圖7係繪示有根據無線功率傳輸所使用頻率之典型鐵氧磁體(typical ferrites)之磁導率之變化特性圖。
    參閱圖7，磁導率μ之實數及虛數μ1、μ2係隨著無線功率傳輸所使用之頻率之變化而變動。亦即，若確定了使用頻率，則磁導率之實數及虛數亦會隨之而確定。據此，係確定應用遮蔽材料之一遮蔽單元，如圖5所示。
    例如，若無線功率傳輸所使用之頻率為0.1 MHz，則實數μ1係為約20，虛數μ2係為約2000，故虛數係大於實數一百倍。在此情況下，遮蔽材料可構成第二遮蔽單元62，用以吸收磁場、排出熱。
    在圖7中，實數及虛數μ1、μ2之曲線可隨各種用作為一遮蔽材料之材料，而具有各種不同型態。據此，一使用者可以藉由依據使用頻率選擇一理想之遮蔽材料，來設計遮蔽裝置60。
    雖然本發明實施例係如上文所描述，但應理解，本發明並不限制於這些實施例；熟習此項技術者可想出將落入本發明之原理的精神及範疇內的眾多其他修改及實施例。故所有落入本發明範疇之修改均應被理解為被包括於本發明申請範疇之內。
    10‧‧‧電源
    20‧‧‧功率傳輸單元
    21‧‧‧傳輸感應線圈
    22‧‧‧傳輸共振線圈
    30‧‧‧功率接收單元
    31‧‧‧接收共振線圈
    32‧‧‧接收感應線圈
    40‧‧‧整流電路
    50‧‧‧負載
    权利要求:
    Claims (15)
    [1] 一種遮蔽裝置，被包含於一無線功率傳輸裝置中，用以將一功率無線傳輸至一無線功率接收裝置；該遮蔽裝置係包括：一第一遮蔽單元，改變該無線功率傳輸裝置之一傳輸線圈所產生之一磁場之一部分之一傳輸路徑；以及一第二遮蔽單元，遮蔽通過該第一遮蔽單元之該磁場部分；其中，該第二遮蔽單元係被置於該第一遮蔽單元之上；其中，該第一遮蔽單元之一磁導率之一實數值係大於該第一遮蔽單元之該磁導率之一虛數值；而該第二遮蔽單元之一磁導率之一虛數值係大於該第二遮蔽單元之該磁導率之一實數值。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之遮蔽裝置，其中該第一遮蔽單元係藉由改變該磁場部分之該傳輸路徑，來將該磁場部分傳至該無線功率接收裝置；其中該第二遮蔽單元係吸收通過該第一遮蔽單元之該磁場部分，以將該磁場以熱之形式散出。
    [3] 如申請專利範圍第1項所述之遮蔽裝置，其中各磁導率之該實數值係代表該磁場之該傳輸路徑的變化之一程度，而各磁導率之該虛數值係代表吸收通過該第一遮蔽單元之該磁場部分並將該磁場以熱之形式散出之一程度。
    [4] 如申請專利範圍第1項所述之遮蔽裝置，其中該第一遮蔽單元之該磁導率之該實數值係為大於該第一遮蔽單元之該磁導率之該虛數值之十倍至一千倍，而該第二遮蔽單元之該磁導率之該虛數值係為大於該第二遮蔽單元之該磁導率之該實數值之一倍至十倍。
    [5] 如申請專利範圍第1項所述之遮蔽裝置，其中該第一遮蔽單元及該第二遮蔽單元係包括不同類型的磁性物質。
    [6] 如申請專利範圍第5項所述之遮蔽裝置，其中該第一遮蔽單元及該第二遮蔽單元係包括尖晶石(spinel)、六角(hexa)、鋁矽鐵(sendust)、及坡莫合金(permalloy)等磁性物質其中一者。
    [7] 如申請專利範圍第1項所述之遮蔽裝置，其中該第一遮蔽單元及該第二遮蔽單元係透過一壓縮方法或一黏著方法彼此接合在一起。
    [8] 如申請專利範圍第1項所述之遮蔽裝置，其中該第一遮蔽單元及該第二遮蔽單元係透過一薄膜沉積方法彼此接合在一起。
    [9] 一種無線功率傳輸裝置，用以將一功率無線傳輸至一無線功率接收裝置；該無線功率傳輸裝置係包括：一傳輸單元，接收來自一電源功率，並通過一非輻射方法，將一傳輸線圈產生之一磁場傳至該無線功率接收裝置之一接收線圈；以及一遮蔽裝置，其係包含有：一第一遮蔽單元，用以改變該傳輸線圈所產生之該磁場之一部分之一傳輸路徑、以及一第二遮蔽單元，置於該第一遮蔽單元之上，用以遮蔽通過該第一遮蔽單元之該磁場部分；其中，該第一遮蔽單元之一磁導率之一實數值係大於該第一遮蔽單元之該磁導率之一虛數值；而該第二遮蔽單元之一磁導率之一虛數值係大於該第二遮蔽單元之該磁導率之一實數值。
    [10] 如申請專利範圍第9項所述之無線功率傳輸裝置，其中該第一遮蔽單元係藉由改變該磁場部分之該傳輸路徑，來將該磁場部分傳至該無線功率接收裝置；其中該第二遮蔽單元係吸收通過該第一遮蔽單元之該磁場部分，以將該磁場以熱之形式散出。
    [11] 如申請專利範圍第9項所述之無線功率傳輸裝置，其中各磁導率之該實數值係代表由該傳輸線圈所產生之該磁場之該傳輸路徑的變化之一程度，而各磁導率之該虛數值係代表吸收通過該第一遮蔽單元之該磁場部分並將該磁場以熱之形式散出之一程度。
    [12] 如申請專利範圍第9項所述之無線功率傳輸裝置，其中該傳輸單元係使用電磁感應，以將該功率傳輸至該無線功率接收裝置。
    [13] 如申請專利範圍第9項所述之無線功率傳輸裝置，其中該傳輸單元係使用電抗，以將該功率傳輸至該無線功率接收裝置。
    [14] 一種遮蔽裝置，被包含於一種傳輸裝置中，使用一磁場而與一接收裝置相通訊；該遮蔽裝置係包含有：一第一遮蔽單元，用以改變該傳輸裝置所產生之一磁場之一部分之一傳輸路徑；以及一第二遮蔽單元，置於該第一遮蔽單元之上，用以遮蔽通過該第一遮蔽單元之該磁場部分；其中，該第一遮蔽單元之一磁導率之一實數值係大於該第一遮蔽單元之該磁導率之一虛數值；而該第二遮蔽單元之一磁導率之一虛數值係大於該第二遮蔽單元之該磁導率之一實數值。
    [15] 如申請專利範圍第14項所述之遮蔽裝置，其中該傳輸裝置係使用以下方法其中至少一者來與該接收裝置相通訊：一射頻識別(RFID)方法、一近場通訊(NFC)方法、及一無鍵輸入方法(keyless entry method)。
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